IBM und Samsung haben gemeinsam ein bahnbrechendes Chipdesign angekündigt, das zu erheblichen Leistungssteigerungen führen könnte und eine volle Woche Akkulaufzeit für Ihr Telefon.
Der neue Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET)-Chip, der im Albany Nanotech Complex in New York mitentwickelt wurde, weist im Kern eine vertikale Architektur anstelle der üblichen flachen Methode auf.
Durch das Übereinanderstapeln von Transistoren anstelle des üblichen Side-by-Side-Verfahrens wird dieser VTFET-Chip die Obergrenze in Bezug auf die Anzahl der Transistoren, die auf einer kleinen Oberfläche gepackt werden können, dramatisch anheben. Es verbessert auch die Transistorkontaktpunkte und ermöglicht so „einen größeren Stromfluss mit weniger Energieverschwendung“.
Die daraus resultierenden Vorteile versprechen dramatisch zu sein. IBM und Samsung sind vorhersagen dass es den Energieverbrauch im Vergleich zu vergleichbaren Finnen-Feldeffekttransistor-(finFET)-Chips um 85 Prozent reduzieren wird, während auch eine zweifache Leistungssteigerung erwartet wird.
An der Effizienzfront wird behauptet, dass dies zu „Handy-Akkus führen könnte, die statt Tagen über eine Woche ohne Aufladen halten könnten“.
Natürlich würde eine solche energiesparende und leistungsstarke Hardware einen enormen Schub für das Internet der Dinge (IoT) bedeuten.
Dies scheint ein idealer Zeitpunkt zu sein, da das Moore’sche Gesetz – das seit langem geltende Prinzip, dass sich die Transistoranzahl und damit die Chipleistung alle zwei Jahre verdoppeln – in letzter Zeit an die Grenzen der Physik stößt. Die alte flache Produktionsmethode wird einfach nicht die riesigen, regelmäßigen Gewinne bringen, die sie viele Jahre lang gemacht hat.
